Nombor Produk Pengeluar:
SIHH120N60E-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIHH120N60E-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventori:
13063202
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIHH120N60E-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
E
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1600 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
156W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 8 x 8
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Nombor Produk Asas
SIHH120
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SIHH120N60E-T1-GE3TR
SIHH120N60E-T1-GE3DKR
SIHH120N60E-T1-GE3CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIJ420DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIHB17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK