Nombor Produk Pengeluar:
SIHB17N80E-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIHB17N80E-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventori:
993 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13063289
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIHB17N80E-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
E
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2408 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
208W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (D2PAK)
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
SIHB17
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1,000
Nama lain
SIHB17N80E-GE3-ND
742-SIHB17N80E-GE3
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
BSS138W L6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
