Nombor Produk Pengeluar:
SISS23DN-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SISS23DN-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Penerangan Terperinci:
P-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventori:
13506 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13063820
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SISS23DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
20 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.8V, 4.5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
8840 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Suhu Operasi
-50°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8S
Nombor Produk Asas
SISS23
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SISS23DN-T1-GE3CT
SISS23DN-T1-GE3DKR
SISS23DN-T1-GE3TR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
BSS138W L6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
AUIRLS3034-7P
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
BSP295E6327
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
