SIHG47N60AEL-GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SIHG47N60AEL-GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SIHG47N60AEL-GE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventori:

14 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13006601
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SIHG47N60AEL-GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
EL
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
47A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
65mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4600 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
379W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247AC
Pakej / Kes
TO-247-3
Nombor Produk Asas
SIHG47

Model Alternatif

NOMBOR BAHAGIAN
STW58N65DM2AG
PENGELUAR
STMicroelectronics
JUMLAH TERSATU
0
NOMBOR BAHAGIAN
STW58N65DM2AG-DG
HARGA UNIT
7.29
JENIS SUBSTITUSI
MFR Recommended
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay

SIHD7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

vishay

SIR638DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

vishay

SIRA12BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8

vishay

SIHG22N60EL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC