Nombor Produk Pengeluar:
SIR638DP-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIR638DP-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventori:
3065 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13006870
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIR638DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
40 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.3V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
10500 pF @ 20 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
104W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SIR638
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
SIHG22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
