Nombor Produk Pengeluar:
SIHG22N60EL-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIHG22N60EL-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventori:
13006930
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIHG22N60EL-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
197mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1690 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
227W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247AC
Pakej / Kes
TO-247-3
Nombor Produk Asas
SIHG22
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
SQP60N06-15_GE3
MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB
SIHP8N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
