Nombor Produk Pengeluar:
SIHF35N60E-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIHF35N60E-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventori:
13006350
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIHF35N60E-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
E
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
94mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2760 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
39W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220 Full Pack
Pakej / Kes
TO-220-3 Full Pack
Nombor Produk Asas
SIHF35
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
STF43N60DM2
PENGELUAR
STMicroelectronics
JUMLAH TERSATU
911
NOMBOR BAHAGIAN
STF43N60DM2-DG
HARGA UNIT
2.82
JENIS SUBSTITUSI
MFR Recommended
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIHB6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
SIR124DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
