Nombor Produk Pengeluar:
SIHB6N80E-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIHB6N80E-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventori:
13006418
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIHB6N80E-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
E
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
827 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
78W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (D2PAK)
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
SIHB6
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
STB7ANM60N
PENGELUAR
STMicroelectronics
JUMLAH TERSATU
0
NOMBOR BAHAGIAN
STB7ANM60N-DG
HARGA UNIT
0.60
JENIS SUBSTITUSI
MFR Recommended
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
SIR124DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
SQP120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
