SQJ488EP-T1_GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SQJ488EP-T1_GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SQJ488EP-T1_GE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventori:

3878 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13006422
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SQJ488EP-T1_GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
42A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
979 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
83W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SQJ488

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
SQJ488EP-T1_GE3
Lembaran Data HTML
SQJ488EP-T1_GE3-DG
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay

SIR124DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK

vishay

SQP120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

vishay

SIHG47N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

vishay

SIHD7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK