Nombor Produk Pengeluar:
SI7882DP-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SI7882DP-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 12 V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventori:
13059214
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SI7882DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
-
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
12 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
13A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
2.5V, 4.5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
1.9W (Ta)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SI7882
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SI7882DPT1GE3
SI7882DP-T1-GE3TR
SI7882DP-T1-GE3CT
SI7882DP-T1-GE3DKR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIB415DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
SI7772DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
SI3483DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
