Nombor Produk Pengeluar:
SIDR390DP-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIDR390DP-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 30 V 69.9A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventori:
7987 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13059509
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIDR390DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Siri
TrenchFET® Gen IV
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
69.9A (Ta), 100A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
0.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
10180 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8DC
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SIDR390
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SIDR390DP-T1-GE3TR
SIDR390DP-GE3
SIDR390DP-T1-GE3DKR
SIDR390DP-T1-GE3CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SI2392ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
SI3433CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
SI2325DS-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
