Nombor Produk Pengeluar:
SI7772DP-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SI7772DP-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 30 V 35.6A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventori:
5880 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13059398
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SI7772DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
SkyFET®, TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
35.6A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1084 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SI7772
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SI7772DPT1GE3
SI7772DP-T1-GE3CT
SI7772DP-T1-GE3TR
SI7772DP-T1-GE3DKR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SI3483DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
SIDR390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
SI2392ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3