SUP53P06-20-E3
Nombor Produk Pengeluar:

SUP53P06-20-E3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SUP53P06-20-E3-DG

Penerangan:

MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Penerangan Terperinci:
P-Channel 60 V 9.2A (Ta), 53A (Tc) 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventori:

3176 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13008159
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SUP53P06-20-E3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
9.2A (Ta), 53A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
19.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
SUP53

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
SUP53P06-20-E3
Lembaran Data HTML
SUP53P06-20-E3-DG
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay

SIRA60DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay

SIHW47N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD

vishay

SIHD3N50DT4-GE3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

vishay

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8