Nombor Produk Pengeluar:
SIRA60DP-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIRA60DP-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventori:
9703 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13008178
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIRA60DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET® Gen IV
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
0.94mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7650 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
57W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SIRA60
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIHW47N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
