SQ2337ES-T1_GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SQ2337ES-T1_GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SQ2337ES-T1_GE3-DG

Penerangan:

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Penerangan Terperinci:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventori:

14972 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13008583
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SQ2337ES-T1_GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Last Time Buy
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
80 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
290mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
620 pF @ 30 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
SOT-23-3 (TO-236)
Pakej / Kes
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nombor Produk Asas
SQ2337

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
SQ2337ES-T1_GE3
Lembaran Data HTML
SQ2337ES-T1_GE3-DG

Model Alternatif

NOMBOR BAHAGIAN
SQ2337ES-T1_BE3
PENGELUAR
Vishay Siliconix
JUMLAH TERSATU
284851
NOMBOR BAHAGIAN
SQ2337ES-T1_BE3-DG
HARGA UNIT
0.20
JENIS SUBSTITUSI
Direct
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay

SQJ148EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

vishay

SIHP050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB

vishay

SIHB22N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

vishay

SQD40N06-14L_GE3

MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA