Nombor Produk Pengeluar:
SIHP050N60E-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIHP050N60E-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventori:
926 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13008667
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIHP050N60E-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
E
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
51A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
50mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3459 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
278W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
SIHP050
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
SIHG050N60E-GE3
PENGELUAR
Vishay Siliconix
JUMLAH TERSATU
494
NOMBOR BAHAGIAN
SIHG050N60E-GE3-DG
HARGA UNIT
4.98
JENIS SUBSTITUSI
Parametric Equivalent
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIHB22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
SIS456DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
