SIS410DN-T1-GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SIS410DN-T1-GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SIS410DN-T1-GE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventori:

4436 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13009418
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SIS410DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
20 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1600 pF @ 10 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8
Nombor Produk Asas
SIS410

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
SIS410DN-T1-GE3
Lembaran Data HTML
SIS410DN-T1-GE3-DG
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay

SISS27DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

vishay

SIHH14N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8

vishay

SUM110P04-04L-E3

MOSFET P-CH 40V 110A TO263

vishay

SQM40081EL_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO263