Nombor Produk Pengeluar:
SISS27DN-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SISS27DN-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Penerangan Terperinci:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventori:
27000 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13009806
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SISS27DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5250 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Suhu Operasi
-50°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8S
Nombor Produk Asas
SISS27
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIHH14N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SUM110P04-04L-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
SQM40081EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
