Nombor Produk Pengeluar:
SIS407DN-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIS407DN-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Penerangan Terperinci:
P-Channel 20 V 25A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventori:
45251 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13007433
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIS407DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
20 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.8V, 4.5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
93.8 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2760 pF @ 10 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8
Nombor Produk Asas
SIS407
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIHH11N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
