SIR184DP-T1-RE3
Nombor Produk Pengeluar:

SIR184DP-T1-RE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SIR184DP-T1-RE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 20.7A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventori:

22806 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13007589
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SIR184DP-T1-RE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET® Gen IV
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
20.7A (Ta), 73A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
7.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1490 pF @ 30 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SIR184

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
SIR184DP-T1-RE3
Lembaran Data HTML
SIR184DP-T1-RE3-DG
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay

SIB408DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6

vishay

SQM70060EL_GE3

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

vishay

SIHG73N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

vishay

SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET N-CH 30V 42A TO252