SIHP12N50E-GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SIHP12N50E-GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SIHP12N50E-GE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
Penerangan Terperinci:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventori:

1000 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13060198
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SIHP12N50E-GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
500 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
886 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
114W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
SIHP12

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
SIHP12N50E-GE3
Lembaran Data HTML
SIHP12N50E-GE3-DG
Helaian data
SIHP12N50E

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
50

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay

SQA401EEJ-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 2.68A PPAK SC70

vishay

SIRA02DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

vishay

SQA442EJ-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6

vishay

SI7758DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8