Nombor Produk Pengeluar:
SIRA02DP-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIRA02DP-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventori:
7498 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13060264
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIRA02DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
6150 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SIRA02
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lukisan Produk
Lembaran Data HTML
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SIRA02DP-T1-GE3DKR
SIRA02DP-T1-GE3TR
SIRA02DP-T1-GE3CT
SIRA02DPT1GE3
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SQA442EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6
SI7758DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI1413EDH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6