Nombor Produk Pengeluar:
SQJ202EP-T1_GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SQJ202EP-T1_GE3-DG
Penerangan:
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Penerangan Terperinci:
Mosfet Array 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Inventori:
2805 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12915807
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SQJ202EP-T1_GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasi
2 N-Channel (Dual)
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
12V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
20A, 60A
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
22nC @ 10V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
975pF @ 6V
Kuasa - Maks
27W, 48W
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8 Dual
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Nombor Produk Asas
SQJ202
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
742-SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3CT-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR
742-SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3DKR-DG
742-SQJ202EP-T1_GE3TR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SI5903DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4916DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
SIF912EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
