SI5903DC-T1-GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SI5903DC-T1-GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SI5903DC-T1-GE3-DG

Penerangan:

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Penerangan Terperinci:
Mosfet Array 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Inventori:

12915818
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SI5903DC-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasi
2 P-Channel (Dual)
Ciri FET
Logic Level Gate
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
20V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
2.1A
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Kuasa - Maks
1.1W
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-SMD, Flat Lead
Pakej Peranti Pembekal
1206-8 ChipFET™
Nombor Produk Asas
SI5903

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

SI4916DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC

vishay-siliconix

SIF912EDZ-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK

vishay-siliconix

SQJQ960EL-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8

vishay-siliconix

SQ9945AEY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC