Nombor Produk Pengeluar:
2SC2271E-AE
Product Overview
Pengeluar:
Sanyo
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
2SC2271E-AE-DG
Penerangan:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Penerangan Terperinci:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventori:
6824 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12941616
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
2SC2271E-AE Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Tunggal
Pengeluar
Pembungkusan
Bulk
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
NPN
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
100 mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
300 V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
600mV @ 2mA, 20mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
1µA (ICBO)
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Kuasa - Maks
900 mW
Kekerapan - Peralihan
50MHz
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pakej Peranti Pembekal
3-MP
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
5,323
Nama lain
ONSSNY2SC2271E-AE
2156-2SC2271E-AE
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
Not applicable
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
CA3127ER4102
HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR AR
2SC3708T-AA
0.5A, 80V, NPN
2SC3599E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
