Nombor Produk Pengeluar:
2SC3595D
Product Overview
Pengeluar:
Sanyo
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
2SC3595D-DG
Penerangan:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Penerangan Terperinci:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 500 mA 2GHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventori:
7513 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12941635
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
2SC3595D Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Tunggal
Pengeluar
Pembungkusan
Bulk
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
NPN
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
500 mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
20 V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
100nA (ICBO)
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 50mA, 5V
Kuasa - Maks
1.2 W
Kekerapan - Peralihan
2GHz
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Gred
-
Kelayakan
-
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-225AA, TO-126-3
Pakej Peranti Pembekal
TO-126
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
452
Nama lain
2156-2SC3595D
ONSSNY2SC3595D
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
Not applicable
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
2SC4455Q-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC2463DETL-E
0.1A, 40V
2SC536F-SPA-AC
SMALL SIGNAL NPN SILICON
