Laman Utama
Produk
Pengeluar
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Catatan
RFQ/Quotasi
Malaysia
Log Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa pilihan anda:
Malaysia
Tukar:
Bahasa Inggeris
Eropah
United Kingdom
Perancis
Sepanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norway
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Bahasa Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Bahasa Czech
Bahasa Yunani
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Belanda
Sweden
Montenegro
Bahasa Basque
Iceland
Bosnia
Bahasa Hungary
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pasifik
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Bahasa Filipino
Malaysia
Korea
Jepun
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kemboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Emiriah Arab Bersatu
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maghribi
Tunisia
Amerika Selatan / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Syarikat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sijil Kami
Pengenalan
Mengapa DiGi
Dasar
Dasar Kualiti
Terma penggunaan
Pematuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber
Kategori Produk
Pengeluar
Blog dan Catatan
Perkhidmatan
Jaminan Kualiti
Kaedah Pembayaran
Penghantaran Global
Kadar Penghantaran
Soalan Lazim
Nombor Produk Pengeluar:
RQ3E180AJTB1
Product Overview
Pengeluar:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
RQ3E180AJTB1-DG
Penerangan:
NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Penerangan Terperinci:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventori:
2944 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12976070
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
*
Syarikat
*
Nama Kontak
*
Telefon
*
E-mel
Alamat Penghantaran
Mesej
(
*
) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
RQ3E180AJTB1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
2.5V, 4.5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 11mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4290 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2W (Ta), 30W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-HSMT (3.2x3)
Pakej / Kes
8-PowerVDFN
Nombor Produk Asas
RQ3E180
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
RQ3E180AJTB1
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
846-RQ3E180AJTB1DKR
846-RQ3E180AJTB1TR
846-RQ3E180AJTB1CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
RQ3E180AJTB1
PENGELUAR
Rohm Semiconductor
JUMLAH TERSATU
2944
NOMBOR BAHAGIAN
RQ3E180AJTB1-DG
HARGA UNIT
0.52
JENIS SUBSTITUSI
Parametric Equivalent
NOMBOR BAHAGIAN
RQ3E180AJTB
PENGELUAR
Rohm Semiconductor
JUMLAH TERSATU
16588
NOMBOR BAHAGIAN
RQ3E180AJTB-DG
HARGA UNIT
0.40
JENIS SUBSTITUSI
Parametric Equivalent
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
RS3L140GNGZETB
NCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14
RS1E350BNTB1
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
RSS060P05HZGTB
PCH -45V -6A POWER MOSFET: RSS06
RSS070N05HZGTB
AUTOMOTIVE NCH 45V 7A POWER MOSF