HP8KE7TB1
Nombor Produk Pengeluar:

HP8KE7TB1

Product Overview

Pengeluar:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

HP8KE7TB1-DG

Penerangan:

MOSFET 2N-CH 100V 10A/24A 8HSOP
Penerangan Terperinci:
Mosfet Array 100V 10A (Ta), 24A (Tc) 3W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventori:

2475 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12787954
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

HP8KE7TB1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasi
2 N-Channel
Ciri FET
Standard
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
10A (Ta), 24A (Tc)
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
19.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
19.8nC @ 10V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1100pF @ 50V
Kuasa - Maks
3W (Ta), 26W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Pakej Peranti Pembekal
8-HSOP

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
HP8KE7TB1
Lembaran Data HTML
HP8KE7TB1-DG
Helaian data
HP8KE7

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,500
Nama lain
846-HP8KE7TB1CT
846-HP8KE7TB1DKR
846-HP8KE7TB1TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
rohm-semi

HP8ME5TB1

MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP

rohm-semi

HT8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

rohm-semi

HP8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP

vishay-siliconix

SIZF4800LDT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR