HT8KE6TB1

Nombor Produk Pengeluar:

HT8KE6TB1

Product Overview

Pengeluar:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

HT8KE6TB1-DG

Penerangan:

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

Penerangan Terperinci:

Mosfet Array 100V 4.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventori:

4000 Pcs Baru Asli Dalam Stok

12787956

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

HT8KE6TB1 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array

Pengeluar

ROHM Semiconductor

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Siri

-

Status Produk

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Konfigurasi

2 N-Channel

Ciri FET

Standard

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

100V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

4.5A (Ta), 13A (Tc)

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

57mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 1mA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

305pF @ 50V

Kuasa - Maks

2W (Ta), 14W (Tc)

Suhu Operasi

150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

8-PowerVDFN

Pakej Peranti Pembekal

8-HSMT (3.2x3)

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

3,000

Nama lain

846-HT8KE6TB1DKR

846-HT8KE6TB1CT

846-HT8KE6TB1TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

rohm-semi

HP8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP

vishay-siliconix

SIZF4800LDT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR

vishay-siliconix

SIS9446DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 11.3A/34A PPAK

PMDXB590UPEZ

MOSFET 2P-CH 20V 0.57A 6DFN