Nombor Produk Pengeluar:
NVH4L030N120M3S
Product Overview
Pengeluar:
onsemi
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
NVH4L030N120M3S-DG
Penerangan:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventori:
430 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13256153
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
NVH4L030N120M3S Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
73A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
18V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
39mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.4V @ 15mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -10V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2430 pF @ 800 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
313W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247-4L
Pakej / Kes
TO-247-4
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
30
Nama lain
488-NVH4L030N120M3S
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
APTM10SKM05TG
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
APTM20UM04SAG
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
NVBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
