Nombor Produk Pengeluar:
NVBG040N120M3S
Product Overview
Pengeluar:
onsemi
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
NVBG040N120M3S-DG
Penerangan:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventori:
800 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13256175
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
NVBG040N120M3S Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
57A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
18V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
54mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.4V @ 10mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -10V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1700 pF @ 800 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
263W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
D2PAK-7
Pakej / Kes
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
800
Nama lain
488-NVBG040N120M3STR
488-NVBG040N120M3SDKR
488-NVBG040N120M3SCT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
NTHL075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
APL1001J
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP
APT47F60J
MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
