NVH4L020N120SC1
Nombor Produk Pengeluar:

NVH4L020N120SC1

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

NVH4L020N120SC1-DG

Penerangan:

SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventori:

862 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12938864
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

NVH4L020N120SC1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
102A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
20V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.3V @ 20mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25V, -15V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2943 pF @ 800 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
510W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247-4L
Pakej / Kes
TO-247-4
Nombor Produk Asas
NVH4L020

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
NVH4L020N120SC1
Lembaran Data HTML
NVH4L020N120SC1-DG
Helaian data
NVH4L020N120SC1

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
30
Nama lain
488-NVH4L020N120SC1

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
onsemi

NTF2955PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

onsemi

NVMFS5C466NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN

onsemi

NVMTS1D2N08H

MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW

vishay-siliconix

IRF630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB