IRF630PBF

Nombor Produk Pengeluar:

IRF630PBF

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IRF630PBF-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

Penerangan Terperinci:

N-Channel 200 V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventori:

5461 Pcs Baru Asli Dalam Stok

12938878

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

IRF630PBF Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

Vishay

Pembungkusan

Tube

Siri

-

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

200 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

9A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

10V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

800 pF @ 25 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

74W (Tc)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Through Hole

Pakej Peranti Pembekal

TO-220AB

Pakej / Kes

TO-220-3

Nombor Produk Asas

IRF630

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

Helaian data

IRF630 Packaging Information

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

50

Nama lain

*IRF630PBF

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

onsemi

NVMFS6H801NWFT1G

MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN

onsemi

NTP6412ANG

MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB

onsemi

NTMFS4C028NT3G

MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN

renesas-electronics-america

UPA1803GR-9JG-E1-A

MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP