DMT67M8LK3-13
Nombor Produk Pengeluar:

DMT67M8LK3-13

Product Overview

Pengeluar:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

DMT67M8LK3-13-DG

Penerangan:

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 87A (Tc) 3.1W (Ta), 89.3W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventori:

13000804
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

DMT67M8LK3-13 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Diodes Incorporated
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
87A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2130 pF @ 30 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.1W (Ta), 89.3W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-252 (DPAK)
Pakej / Kes
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,500
Nama lain
31-DMT67M8LK3-13TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
onsemi

NTTFS012N10MDTAG

PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8

diodes

DMN1008UFDFQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

taiwan-semiconductor

TSM650P03CX

-30V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO

diodes

DMTH12H007SPS-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5