DMN1008UFDFQ-7
Nombor Produk Pengeluar:

DMN1008UFDFQ-7

Product Overview

Pengeluar:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

DMN1008UFDFQ-7-DG

Penerangan:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Penerangan Terperinci:
N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventori:

13000809
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

DMN1008UFDFQ-7 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Diodes Incorporated
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
12 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
12.2A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
2.5V, 4.5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
995 pF @ 6 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
700mW
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakej / Kes
6-UDFN Exposed Pad
Nombor Produk Asas
DMN1008

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
31-DMN1008UFDFQ-7TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
taiwan-semiconductor

TSM650P03CX

-30V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO

diodes

DMTH12H007SPS-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

diodes

DMT10H9M9LCT

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

diodes

DMP3045LFVW-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333