C3M0350120J-TR
Nombor Produk Pengeluar:

C3M0350120J-TR

Product Overview

Pengeluar:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

C3M0350120J-TR-DG

Penerangan:

SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 7.2A (Tc) 40.8W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventori:

13005826
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

C3M0350120J-TR Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Wolfspeed
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
C3M™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
15V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
455mOhm @ 3.6A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.6V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
13 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
+15V, -4V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
345 pF @ 1000 V
Pelesapan Kuasa (Maks)
40.8W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263-7
Pakej / Kes
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Nombor Produk Asas
C3M0350120

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
800
Nama lain
1697-C3M0350120J-TRCT
1697-C3M0350120J-TR
1697-C3M0350120J-TRDKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
nexperia

GAN190-650FBEZ

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

stmicroelectronics

STW65N023M9-4

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

good-ark-semiconductor

GSGA6R015

MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V

panjit

PSMQC094N10NS2_R2_00201

100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO