SQM120N10-09_GE3

Nombor Produk Pengeluar:

SQM120N10-09_GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SQM120N10-09_GE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Penerangan Terperinci:

N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventori:

RFQ Dalam Talian

13061810

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

SQM120N10-09_GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

Vishay

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Siri

TrenchFET®

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Status Bahagian

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

100 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

120A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

10V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 250µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

180 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

8645 pF @ 25 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

375W (Tc)

Suhu Operasi

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gred

Automotive

Kelayakan

AEC-Q101

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal

TO-263 (D2PAK)

Pakej / Kes

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Nombor Produk Asas

SQM120

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

SQM120N10-09_GE3

Lembaran Data HTML

SQM120N10-09_GE3-DG

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

800

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

vishay

SUD08P06-155L-E3

MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252

vishay

SI7682DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

vishay

SI7774DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay

SUD45P03-15-E3

MOSFET P-CH 30V TO252