SQJ464EP-T1_GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SQJ464EP-T1_GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SQJ464EP-T1_GE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 32A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventori:

11585 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13006098
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SQJ464EP-T1_GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2086 pF @ 30 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
45W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SQJ464

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
SQJ464EP-T1_GE3
Lembaran Data HTML
SQJ464EP-T1_GE3-DG
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay

VS-FB180SA10P

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

vishay

SUM110P08-11L-E3

MOSFET P-CH 80V 110A TO263

vishay

SIR186DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

vishay

SUM90P10-19L-E3

MOSFET P-CH 100V 90A TO263