Nombor Produk Pengeluar:
SQD100N03-3M2L_GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SQD100N03-3M2L_GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Penerangan Terperinci:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventori:
13061590
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SQD100N03-3M2L_GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Last Time Buy
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
6316 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
136W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-252AA
Pakej / Kes
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nombor Produk Asas
SQD100
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,000
Nama lain
SQD100N03-3M2L_GE3TR
SQD100N03-3M2L_GE3DKR
SQD100N03-3M2L_GE3CT
SQD100N03-3M2L_GE3-ND
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SI2343DS-T1
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
SUM60020E-GE3
MOSFET N-CH 80V 150A TO263
SUD50N06-07L-E3
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
