Nombor Produk Pengeluar:
SISH434DN-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SISH434DN-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 40 V 17.6A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventori:
9000 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13059898
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SISH434DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
40 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
17.6A (Ta), 35A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1530 pF @ 20 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8SH
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8SH
Nombor Produk Asas
SISH434
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SISH434DN-T1-GE3TR
SISH434DN-T1-GE3DKR
SISH434DN-T1-GE3CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SI4038DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
SQ3460EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
SI4010DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO