Nombor Produk Pengeluar:
SISH129DN-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SISH129DN-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
Penerangan Terperinci:
P-Channel 30 V 14.4A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventori:
90 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13061230
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SISH129DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
14.4A (Ta), 35A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.8V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3345 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Suhu Operasi
-50°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8SH
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8SH
Nombor Produk Asas
SISH129
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SISH129DN-T1-GE3CT
SISH129DN-T1-GE3DKR
SISH129DN-T1-GE3TR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SI1488DH-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
SIRA66DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SI4190DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
