SIHP17N80E-GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SIHP17N80E-GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SIHP17N80E-GE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Penerangan Terperinci:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventori:

1000 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13010786
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SIHP17N80E-GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
E
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2408 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
208W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
SIHP17

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
1,000
Nama lain
SIHP17N80E-GE3-ND
742-SIHP17N80E-GE3

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay

VP0300B-E3

MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205

vishay

SQM50034EL_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO263

texas-instruments

CSD17382F4T

MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR

texas-instruments

CSD18510KCS

MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3