Nombor Produk Pengeluar:
SIHA6N80AE-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SIHA6N80AE-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Penerangan Terperinci:
N-Channel 800 V 5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventori:
836 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13140775
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SIHA6N80AE-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
E
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
422 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
30W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220 Full Pack
Pakej / Kes
TO-220-3 Full Pack
Nombor Produk Asas
SIHA6
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Nama lain
742-SIHA6N80AE-GE3TR-ND
742-SIHA6N80AE-GE3
742-SIHA6N80AE-GE3TR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SISS32LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
SIHG105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
SIR626ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
