SI8469DB-T2-E1

Nombor Produk Pengeluar:

SI8469DB-T2-E1

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SI8469DB-T2-E1-DG

Penerangan:

MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT

Penerangan Terperinci:

P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Inventori:

RFQ Dalam Talian

13062100

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

SI8469DB-T2-E1 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

Vishay

Pembungkusan

-

Siri

TrenchFET®

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Status Bahagian

Obsolete

Jenis FET

P-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

8 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

4.6A (Ta)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

64mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

800mV @ 250µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

17 nC @ 4.5 V

Vgs (Maks)

±5V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

900 pF @ 4 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

780mW (Ta), 1.8W (Tc)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal

4-Microfoot

Pakej / Kes

4-UFBGA

Nombor Produk Asas

SI8469

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

SI8469DB-T2-E1-DG

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

3,000

Nama lain

SI8469DB-T2-E1-ND

SI8469DB-T2-E1CT

SI8469DB-T2-E1TR

SI8469DB-T2-E1DKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

vishay

SIHP5N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

vishay

SQM120N02-1M3L_GE3

MOSFET N-CH 20V 120A TO263

vishay

SIHD7N60ET5-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

vishay

SIE832DF-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK