Nombor Produk Pengeluar:
SI4866BDY-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SI4866BDY-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
Penerangan Terperinci:
N-Channel 12 V 21.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventori:
13056032
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SI4866BDY-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
-
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
12 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.8V, 4.5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5020 pF @ 6 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-SOIC
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nombor Produk Asas
SI4866
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
SI4866BDYT1GE3
SI4866BDY-T1-GE3DKR
SI4866BDY-T1-GE3TR
SI4866BDY-T1-GE3CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SI7483ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
IRFP064PBF
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
IRFZ44STRRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
