Nombor Produk Pengeluar:
SI4666DY-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SI4666DY-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO
Penerangan Terperinci:
N-Channel 25 V 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventori:
13054439
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SI4666DY-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
-
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
25 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
2.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±12V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1145 pF @ 10 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-SOIC
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nombor Produk Asas
SI4666
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
SI4666DY-T1-GE3CT
SI4666DY-T1-GE3TR
SI4666DY-T1-GE3DKR
SI4666DYT1GE3
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IRFZ48R
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
IRFP460LC
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
IRFL014TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
