Nombor Produk Pengeluar:
SI4190BDY-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SI4190BDY-T1-GE3-DG
Penerangan:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventori:
8858 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13374259
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SI4190BDY-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
12A (Ta), 17A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4150 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.8W (Ta), 8.4W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-SOIC
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nombor Produk Asas
SI4190
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
742-SI4190BDY-T1-GE3CT
742-SI4190BDY-T1-GE3DKR
742-SI4190BDY-T1-GE3TR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIRS4301DP-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
SISS4402DN-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
SISS5623DN-T1-GE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
