Nombor Produk Pengeluar:
SI4168DY-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SI4168DY-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Penerangan Terperinci:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventori:
26145 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13062456
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SI4168DY-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1720 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-SOIC
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nombor Produk Asas
SI4168
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
SI4168DY-T1-GE3TR
SI4168DY-T1-GE3-ND
SI4168DYT1GE3
SI4168DY-T1-GE3DKR
SI4168DY-T1-GE3CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SI7621DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
SUP90N04-3M3P-GE3
MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
SIHF18N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
