SQJ407EP-T1_GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SQJ407EP-T1_GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SQJ407EP-T1_GE3-DG

Penerangan:

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Penerangan Terperinci:
P-Channel 30 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventori:

5769 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12915627
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
2CFW
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SQJ407EP-T1_GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
10700 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
68W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SQJ407

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
SQJ407EP-T1_GE3CT
SQJ407EP-T1_GE3TR
SQJ407EP-T1_GE3DKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

IRFR224TRLPBF

MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

vishay-siliconix

SI4488DY-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO

littelfuse

IXFP14N60P

MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB

littelfuse

IXFX20N120P

MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3