SIRA18DP-T1-RE3
Nombor Produk Pengeluar:

SIRA18DP-T1-RE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SIRA18DP-T1-RE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Penerangan Terperinci:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventori:

12966431
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
klfi
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SIRA18DP-T1-RE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
33A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
14.7W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SIRA18

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

SI8424DB-T1-E1

MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT

micro-commercial-components

MSJW20N65-BP

MOSFET N-CH TO247

vishay-siliconix

SIR874DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8